フラッシュメモリー

パソコンで利用されるＵＳＢメモリー、デジカメやビデオカメラの映像記録に利用されるＳＤカードやメモリースティックにはフラッシュメモリーが用いられている。

小さくて軽く、高速大容量なのでたいへん便利だ。

フラッシュメモリーは半導体で作られている記憶装置である。

ハードディスクが磁気で、ＣＤが表面の凹凸（おうとつ）で情報を記録するのとは異なる。

半導体でできているがゆえに、高速処理と微小化が可能になるのだ。

フラッシュメモリーの構造を調べてみよう。

フラッシュメモリーの１ビットにはソース、ドレイン、ゲートという三つの電極を持つ一つのセルが対応する。

このセル構造はＣＭＯＳ型と呼ばれ、他の多くのＬＳＩと共通する。

フラッシュメモリーに特徴的なのは、そこに浮遊（ふゆう）ゲートと呼ばれる小部屋が組み込まれていることである。

フラッシュメモリーの読み書きの動作を調べてみよう。

まずはデータの書き込み。

ビット「１」は初期状態、すなわち浮遊ゲートに電子が存在しない状態を対応させる。

ビット「０」の書き込みには、ソース・ドレインに電圧をかけ、さらにゲートに高電圧をかけて、大量の電子を流す。

その電流の一部を浮遊ゲートに誘導して貯ためることで、「０」を表現する。

逆電圧をかければ、再び「１」に戻る。

続いてデータの読み出しを調べてみよう。

読み出しには、ゲートに低電圧をかけ、ソース・ドレイン間にも電圧をかける。

浮遊ゲートに電子がなければ、通常のＣＭＯＳと同一なので、電子が流れる。

浮遊ゲートに電子があれば、弱いゲート電圧は打ち消され、電子が流れない。

こうして電流の有無で、データの「１」と「０」を読み取ることができるのである。

このように、浮遊ゲートを巧たくみに利用することで、フラッシュメモリーはデータの読み出し・書き込みを実行するのである。

最後に、このフラッシュメモリーの発明者は日本の舛岡（ますおか）富士雄氏であることを記しておこう。